PG电子

    红外热成像领军者
    红外热成像领军者

    PG电子已实现从红外芯片、探测器、机芯模组到整机的全产业链布局;掌握集成电路设计、MEMS传感器设计及制造、封装测试、机芯图像算法开发、系统集成等非制冷红外成像全产业链核心技术及生产工艺,2021年发布世界第一款8μm 1920×1080红外探测器芯片,2024年发布世界第一款6μm VGA红外探测器芯片,推动全世界小像元红外热成像光学和图像算法等技术发展,推动超小像元红外焦平面探测器芯片在多个新领域广泛应用。

    深耕长波、中波、短波红外技术
    深耕长波、中波、短波红外技术

    PG电子依托公司在非制冷红外焦平面芯片、器件、模组及整机领域的核心技术和业内领先的量产平台,积极布局III-V族化合物半导体技术平台,支撑光子型探测器与半导体激光器研发与产业化,完成InGaAs短波红外芯片、短波红外机芯和多光谱云台产品的研发与生产。

    PG电子
    技术发展历程
    进步 从不止步
    2015年
    2015年
    国内首款17μm
    640×512非制冷
    红外探测器
    2015年
    2015年
    国内首款14μm
    1024×768非制冷
    红外探测器
    2016年
    2016年
    国内首款17μm
    640×512数字输出
    非制冷红外探测器
    2017年
    2017年
    国内首款12μm
    640×512非制冷
    红外探测器
    2018年
    2018年
    国内首款12μm
    1280×1024非制冷
    红外探测器
    2019年
    2019年
    全球第二款10μm
    1280×1024非制冷
    红外探测器
    2020年
    2020年
    ASIC全系列
    红外热成像模组
    2021年
    2021年
    全球第一款8μm
    1920×1080非制冷
    红外探测器
    2022年
    2022年
    15μm 640×512
    InGaAs短波红外
    探测器
    2022年
    2022年
    国内首款通过
    AEC-Q100车规认证
    非制冷红外芯片
    2023年
    2023年
    15μm
    640×512II类超晶格
    (T2SL)探测器
    2023年
    2023年
    15μm1280×1024
    12.5μm1024×1
    InGaAs短波红外探测器
    2023年
    2023年
    8μm
    640×512非制冷
    红外探测器
    具备QVGA、VGA、SXGA全系分辨率产品
    掌握全产业链核心技术
    强大的研发实力
    拥有集成电路设计、MEMS红外传感器芯片、红外探测器、机芯模组及整机、人工智能、机器人、AR、红外图像处理算法、精密控制算法等方向资深专家。
    强大的研发实力
    领先的芯片研发平台
    行业领先的非制冷红外芯片与ASIC专用处理芯片全流程设计平台、全性能测试平台、通过CNAS国家实验室认可的试验平台等。
    领先的芯片研发平台
    多维感知与AI算法研发能力
    行业领先的红外图像处理算法、AI检测算法、多传感器融合+AI边缘计算、多学科联合仿真等。
    多维感知与AI算法研发能力
    稳定的量产能力
    自建生产线,已量产256×192-1280×1024面阵、35μm-8μm的非制冷红外探测器芯片、机芯模组和整机产品。目前金属封装和陶瓷封装红外探测器年产能达到80万只,晶圆级封装红外探测器年产能达到260万只。
    稳定的量产能力
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